Hi3518E的裸板烧写fastboot是不能像HI3531那样，能够通过FB直接烧写。遵循ARM9的烧写流程。当中一般u-boot的烧写流程可分为几类：第一:通过编程器芯片直接烧写；第二通过RVDS来烧写（海思官方原版的方式）；第三通过j-link烧写。这三种方式中，前两种都是非常麻烦的事情，须要编程支持比較贵。另外一种价格就更加不菲。第三种方式是一般嵌入式project师能想到也非常easy能得到的方式。以下介绍j-link烧写流程，以下演示芯片为海思的HI3518E芯片。

第一、连接j-link打印相应的j-link信息。假设连接成功打印例如以下信息：

第二、初始化内存，这里须要内存初始化脚本。以下是我实现的HI3518E的内存初始化脚本。所有拷贝后黏贴在j-link commander栏中运行后的结果例如以下：

w4 0x20050014  0x0fff8000w4 0x20030000  0x11000000w4 0x20030004  0x0068306EW4 0x20030008  0x12000000W4 0x2003000c  0x007C2063W4 0x20030010  0x19000000W4 0x20030014  0x00682064W4 0x20030020  0x1B000000W4 0x20030024  0x007C40E1W4 0x20030028  0x00000010Sleep 1000mem32  0x200300e8	1Sleep 1000W4 0x10000004  0xaaaW4 0x20050000  0x214Sleep 1000mem32 0x20050000 1Sleep 1000Sleep 1000W4 0x2011001c  0x80000500W4 0x20110020  0x784W4 0x20110058  0x6330a000W4 0x2011002c  0x22W4 0x20110040  0x80000000W4 0x20110050  0x33440d0aW4 0x20110054  0xff635616W4 0x2011005c  0xffdff0f2W4 0x201100ac  0x3000001W4 0x201100f4  0x1W4 0x20110004  0x0Sleep 1000W4 0x20120404  0x80000000Sleep 2000W4 0x20120430  0x2W4 0x20120408  0x01842202W4 0x20120418  0x220055W4 0x2012041c  0x5053882W4 0x20120420  0x3233881W4 0x2012042c  0xf200001eW4 0x20120434  0x3092668EW4 0x20120438  0x00400098W4 0x2012043c  0x1001aa00W4 0x20120584  0x4bW4 0x20120440  0x0a63W4 0x20120444  0x4W4 0x20120448  0x0W4 0x2012044C  0x0W4 0x201205c0  0xe81W4 0x20120600  0xe81W4 0x20120404  0xffSleep 2000W4 0x20110058  0x6330a031W4 0x20120408  0x01842200loadbin d:\u-boot-200MHZ.bin 0x82000000setpc 0x82000000go

运行结果：

第四步、运行go命令后在securCRT上看到的结果为：

第五步，进入u-boot后，以下就可使用sf命令对Flash进行烧写了。这样就全然启动了。假设有什么问题能够给我留言。一般烧写都没有问题。